Científicos descubren un nuevo semiconductor resistente a apagones para futuras memorias informáticas

Un grupo de investigadores del Centro de Física de Materiales (CFM) de San Sebastián, en cooperación con la Universidad Tecnológica de Pekín, ha logrado un avance significativo en el ámbito de los dispositivos de almacenamiento de información: el descubrimiento de un semiconductor con alta resistencia a interrupciones eléctricas.

Este nuevo desarrollo, según ha informado el propio CFM —una institución impulsada por el Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC) y la Universidad del País Vasco (UPV/EHU)—, podría tener un impacto relevante en la fabricación de memorias de nueva generación, permitiendo dispositivos más económicos, eficientes y energéticamente sostenibles.

El núcleo del estudio ha sido la ferrita de bismuto, un material cuyas propiedades electrónicas y magnéticas han sido profundamente modificadas mediante ingeniería estructural a escala atómica. Esta reconfiguración ha dado lugar a un comportamiento funcionalmente avanzado, ideal para la creación de memorias no volátiles.

Una de las ventajas más destacadas de este material es su capacidad para conservar la información almacenada incluso en ausencia de energía eléctrica, un problema habitual en tecnologías actuales como la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), que pierde por completo los datos cuando se interrumpe el suministro.

En cambio, las memorias RAM desarrolladas con esta nueva clase de semiconductor presentan una retención de datos mucho más robusta, lo que podría suponer un paso decisivo hacia dispositivos con mejor rendimiento, mayor fiabilidad y menor consumo energético. Este avance no solo tiene implicaciones directas en la mejora del hardware informático, sino que también responde a la creciente demanda de soluciones tecnológicas más seguras y sostenibles en la era del big data y la inteligencia artificial.